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本文摘要：长鑫存储“集成电路电容器及其制造方法、半导体器件”专利获授权

天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“集成电路电容器及其制造方法、半导体器件”专利获授权，授权公告日为7月4日，授权公告号为CN108511425B。

长鑫存储“集成电路电容器及其制造方法、半导体器件”专利获授权

天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“集成电路电容器及其制造方法、半导体器件”专利获授权，授权公告日为7月4日，授权公告号为CN108511425B。

图片来源：天眼查

专利摘要显示，本发明提供一种集成电路电容器及其制造方法、半导体器件，在节点接触上形成第一电极板，在第一电极板上形成电容层结构以及在电容层结构上形成第二电极板，电容层结构包括结晶相的电容介质主层、连续设置的多层非结晶相的电容介质子层、以及位于相邻电容介质子层之间及位于电容介质主层与电容介质子层之间的多层电流抑制子层，电容层结构还包括一电流抑制主层，位于电容介质主层与由第一电极板和第二电极板所构成群组的最邻近电极板之间，并且电容介质主层的单层厚度大于电容介质子层的总厚度，电流抑制主层的单层厚度大于电流抑制子层的单层厚度，由此减小漏电流，抑制漏电流的隧穿效应。

据悉，本发明的主要目的在于提供一种集成电路电容器及其制造方法、半导体器件，减小漏电流，抑制漏电流的隧穿效应。

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